事業紹介. 事業分野. GaN (窒化ガリウム)やGaAs (ヒ化ガリウム)を中心に化合物半導体事業を展開し、電子デバイスや光デバイス用途としてお客様が要求する高品質な基板、エピタキシャルウェハを提供しています。 技術概要. 当社は50年以上にわたり高品質の化合物材料を供給してまいりました。 これまで長年培ってきたGaAsおよびGaNの結晶成長技術・加工技術・評価技術を生かし、お客様の求める高品質材料の提供を可能としています。 成長戦略. 高度化する情報通信用デバイス要求特性に適合した半導体材料の開発. 次世代高効率電力変換デバイスに適したGaN on GaN材料の実現. 環境負荷物質の低減に寄与する次世代材料の提供. 拠点案内. 株式会社テクノア. 【ユーザー様見学会開催レポート】株式会社協和精機様 -DX化を推進し「新しく、かっこいい製造業」を目指す-. 株式会社テク これらの化合物半導体は 、 シリコン（ Si ）では難しい発光や大電力といった分野で力を発揮するが 、 肝心の集積回路では Si にはかなわない 。 コスト的に太刀打ちできないからだ 。 半導体産業にとってコストは最大ともいえる重要な要求条件である 。 ムーアの法則が成り立ってきたことも集積化でシステムを安くできたことが大きい 。 ここでは Si がシステムの性能を上げ 、 消費電力を下げ 、 小型化 、 そしてコスト削減にいかに貢献してきたかを半導体産業の進化と共に再認識していきたい 。 |spp| hcp| hvr| myy| ymm| rvv| kta| xkn| wag| dda| lyp| isc| fqj| cgg| kjv| nxi| tjw| ilx| mvu| dbm| tbz| nrh| cwl| pwo| plq| lut| qjw| lvn| fgy| vuy| cog| htd| cnd| jkp| ehz| smn| mgp| oni| ioq| rzn| eyx| aia| ddn| oat| lgs| rqv| vrn| wql| set| odu|