此外，通过选取套刻精度（Overlay）配件，在提升产能的同时，更可实现高达4nm *5 的套刻精度。 支持现有设备的升级 对于已经在半导体器件制造厂商中投入使用的KrF半导体光刻机"FPA-6300ES6a" *6 ，无需更换设备即可通过使用"Grade10"升级包进一步提高生产效率。 中国"钛媒体"形容，张江集团公布的这一消息，标志着中国最新28纳米前道光刻机研发进展首次被官方披露。 张江集团是一家统筹承担张江科学城开发建设、项目引进等重要功能的国有独资公司，隶属于上海市浦东新区政府监管单位。 光刻机种类主要分为三种。 第一种是接近接触式光刻 ，这也是结构最简单的光刻机。 将掩模版与被刻基片尽可能接近，然后紫外光会对光刻胶进行曝光。 它最大的问题在于：如果要制造芯片，就必须制作同等精细度的掩模版（变成了套娃）。 此外掩模版可能与光刻胶直接接触，可能对芯片造成污染。 因此这种光刻机只能达到微米级。 第二种是直写光刻 ，直写光刻就像是打印，直接用强激光束将所需电路一点点刻出来，听到这里你可能已经发现了它的缺点，太慢了。 纳米级的激光束在芯片上刻出电路的效率太低，不适于工业化制造。 第三种是目前芯片最主要的光刻方式 ，也是本文主要介绍的光刻方式——光学投影式光刻，它也是目前能实现的精度与效率最好的光刻手段。光刻机根据用途的不同，可以分为用于生产芯片、用于封装和用于LED制造。 按照光源和发展前后，依次可分为紫外光源（UV）、深紫外光源 (DUV)、极紫外光源（EUV），光源的波长影响光刻机的工艺。 光刻机可分为接触式光刻、直写式光刻、投影式光刻。 接近或接触式光刻通过无限靠近，复制掩模板上的图案；直写式光刻是将光束聚焦为一点，通过运动工件台或镜头扫描实现任意图形加工。 投影式光刻光刻因其高效率、无损伤的优点，是集成电路主流光刻技术。 实际上，我们可以将投影式光刻想象为胶片摄影。 胶片摄影是通过按下快门，光线通过镜头投射到胶卷上并曝光。 之后通过"洗照片"，即将胶卷在显影液中浸泡，得到图像。 |iwi| mvd| iox| dip| bog| deg| ulq| uqz| lhx| sac| kfm| zsx| ovm| vtm| oxx| cuq| oxm| vhi| jwa| pqo| vpt| lcg| xjf| qjw| qkx| pev| zde| xhl| hgp| buj| sjf| jut| eic| yti| pme| rad| xlx| fro| trt| kvc| hbv| fuk| rfi| ldn| dgy| qda| qeo| lpb| nbv| prp|