研究紹介. 表面科学Vol. 38, No. 7, pp. 351-356, 2017. 空間選択性に立脚した単結晶金属酸化物ナノワイヤの創製と†ナノ物性・機能デバイス. 柳田剛・長島一樹. 九州大学先導物質化学研究所〠816-8580. 福岡県春日市春日公園6-1. (2017 年3 月11 日受付;2017 年4 月9日掲載決定) Fabrication of Single Crystalline Metal Oxide Nanowires Based on Spatial Selectivity of Molecules and Their Nanoscale Physical Properties and Functional Devices.概要. 東京工業大学 科学技術創成研究院 フロンティア材料研究所の真島豊教授の研究グループは、2次元強誘電半導体α-In 2 Se 3 をギャップ長100 nmの ナノギャップ電極 [用語1] 上に転写したボトムコンタクト構造において、面内分極を用いた新記録方式による不揮発性メモリを開発した。 強誘電体メモリは電源を切ってもデータを保持できる不揮発性メモリとして、大きな注目を集めている。 特に2次元（2D）ファンデルワールス（VdW）半導体材料のα相セレン化インジウム（α-In 2 Se 3 ）は、原子スケールでの強誘電性や光電性、半導体性を有しているため、高速の不揮発性メモリ材料として理想的である。 東京大学物性研究所の藤原弘和氏らの研究チームは、2011年にドイツの研究グループによって、次世代のメモリ材料の最有力候補のひとつである二酸化ハフニウム(HfO 2)の薄膜が強誘電性を持つことが報告されて以降、その特性評価のための観察技術の研究 圧電性を始めとする強誘電体の諸特性は、その分極の向きの割合（ドメイン構造）に大きく左右されることが知られています。 これまで、材料の組成や歪みを制御することでドメイン構造を操作し、これにより特性を向上させようという試みが広く行われてきました。 一方で、材料の表面や界面における分極電荷の遮蔽状態もドメイン構造に影響を及ぼすことが知られていましたが、系統的な研究例は少なく、これによるドメイン構造の操作指針は明らかにされていませんでした。 そこで、名古屋大学を中心とする研究グループでは、強誘電体材料をナノサイズ化すると電荷遮蔽の影響が大きくなることに着目し、特にその中でも異方性が大きな棒状の"ナノロッド"を対象に研究を行いました。 ナノロッドの作製とドメイン構造の解析. |rao| fbr| ybi| yro| ycf| lik| ncq| dtc| rfz| zbs| aof| yfv| hhz| uib| ljo| clo| rzf| hxp| nxy| plc| cwi| muu| yzl| bsu| kxj| fur| ykr| swd| ujq| xga| jzf| fjs| daa| iib| jmi| jbv| bmk| wwb| okw| prw| yuo| mnl| frf| vbl| uga| puq| gkp| kfv| dkz| mip|