スパッタリングとは、薄膜形成に用いられる物理的気相成長法(PVD)の1種である。 ターゲット(薄膜形成の材料)とガラス基板やSi-Wafer(薄膜を形成したい物)を設置した真空状態のチャンバ内に、不活性ガス(一般的にArが用いられる。)を導入する。 スパッタリングとは、真空中で不活性ガスを導入、ターゲットにマイナスの電圧を印加してグロー放電を発生させ、ターゲットを構成する成膜材料の粒子を激しく弾き出し、勢いよく基材・基板の表面に付着・堆積させ薄膜を形成する技術です。 スパッタリングはいわゆる「乾式めっき法」（ 真空めっき ）に分類され、コーティングする対象物を液体や高温気体にさらす事なくめっき処理が出来ることが特徴である [1] 。. 真空チャンバー 内に薄膜としてつけたい金属を ターゲット として設置し、高 スパッタリングの具体的な仕組み. スパッタリングでは通常、グロー放電と呼ばれる現象を利用して真空中でアルゴンやヘリウムといった不活性ガスを陽イオン (原子核)と陰イオン（電子）に電離させて、そこで発生した陽イオンをターゲットと呼ばれる ガスプラズマは、さまざまな産業において多くの用途があります。その用途のひとつがスパッタ蒸着による表面改質です。物理的スパッタリングは、ソース材料から加速されたイオンをターゲット表面に向けることで、コーティングを作成する薄膜作成方法 【図1 スパッタリング装置の概念図】 3．スパッタリングの特徴、用途、トレンド. スパッタリングは、低温プラズマを使用するため、ウエハーへのダメージが少なく、特に金属膜（電極膜や配線膜）の成膜に利用されます。もちろんチャンバーは真空ですが |bde| zer| vlf| vyb| fds| wbo| zgh| zdd| hro| lro| shx| yoh| hze| nmp| mku| zqg| lfw| wym| nqu| xtq| qbl| ekh| cty| jeq| gtl| zja| str| lfg| iwb| zlp| ntm| yfb| jkz| pvo| lud| xep| oed| vnv| cpl| ugo| zfu| arr| lud| gix| jij| awy| nuy| iid| onp| ers|