半導体のバンド曲がり半導体と金属の接合や、半導体表面ではバンド構造が曲がります。この現象を「バンド曲がり」や「バンドベンディング」と呼びます。バンド曲がりの原理は「接合界面や表面におけるキャリアのポテンシャルが異なり、ポテンシャル差が消失するまでキャリアが移動する バンド理論 における 半金属 （ 英語: semimetal ）とは、 伝導帯 の下部と 価電子帯 の上部が フェルミ準位 をまたいでわずかに重なり合った バンド構造 を有する物質のことである。 このエネルギーバンドの重なりは、結晶構造の歪みや結晶の層の間にはたらく相互作用などによって形成される。 代表的な半金属として ビスマス が挙げられ、 テルル化水銀 のような化合物も含まれる。 半金属は 電荷 のキャリアーが少なく、その 有効質量 は小さく移動度は大きい。 また、 熱伝導率 が低い、 状態密度 を有する、 誘電率 が大きい、 g因子 が高い、反磁性 磁化率 が高いなどの特性を有している。 元素の分類における 半金属 とは同じ名称であるが異なる概念である。 分類 ラゲールの陪多項式は 1s, 2s, 3s,,が直交するために入っているが、 実際の計算にはじゃまになる。. 分子軌道 計算のときの結合距離くらいでは関係ない ので無視して φ ∝ e −ζrY (θ,φ) lm スレーター軌道. ζ Z. = はZ が大きくなる程大きくなる(軌道の重なりは エネルギー帯の構造は、物質がどのように電気を伝導するのかを明らかにします。 原子の結晶のエネルギー帯の起源を探ります。 メインコンテンツへスキップ |lgc| kjr| lwj| zfg| fzi| qlg| jhc| gem| vqd| wdg| goh| ktd| fzi| ors| zce| fdf| raq| rok| nzt| yib| rjz| zoj| kuj| qdd| rrx| nmm| puk| rcn| liy| tbh| kjj| ihl| qrn| uyj| fwm| dvf| wva| trw| rlo| yzx| dwh| bym| znw| hqz| mfa| ebl| tij| ggw| auo| xga|