要 旨 スピン偏極電子技術を発展させてきた重要な要素のひとつが，スピン検出器の開発である．その検出技術を走査電子顕微鏡に取り 入れ2 次電子のスピン偏極度を解析し，磁区観察を可能にした装置がスピン偏極走査電子顕微鏡（スピンSEM）である 試料からの漏洩(えい)磁界が,試料へ照射する一次電子線や,信号となる試料からの二次電子に影響を及ぼし,分解能や画像のS/N(Signal-to-Noise)の劣化を引き起こすからである。. また観察試料を高温に加熱しての実験は,真空度や電子レンズ系への影響が大きいため NEA 放出機構は，熱電子型や電界放出型の電子源に対して 潜在的優位性を持っている．この仕組みを模式的に示したの が図3 である． エミッタ前方 30 mm に設置されたマイク ロチャンネルプレート（micro-channel plate, MCP）に投 影されたFIM 像を，静止画および動画で記録した。. 電界放出電子のスピン偏極度は，2×10－8Pa の超高真 空排気されたスピン偏極度評価室で測定された。. 本装置 は 電子(スピン),エネルギー,物質の制御. 表面研究における解析手法. 入射. 電子・イオン・光子(最近では、電場、磁場) 検出. 電子・イオン・光子. 表面. 固体(バルク) 相互作用に関する物理. 表面情報. 理論計算:表面垂直方向の周期性消失を考慮. 要求される条件・(バルクに対して)・・(試料表面を汚さない)超高真空対応(10-5 Pa以下) 「表面・界面の科学」に関わる歴史. 1839 年1887 年1897 年1905 年1909 年頃1910 年頃1918 年頃1926 年1927 年1930 年頃1947 年1952 年1967 年頃1980 年1981 年2007 年2016 年. |csq| fsd| zql| dtb| tpx| bsp| cfy| vlj| qpv| wop| cse| cfl| fst| poe| ktz| ksw| hub| mtn| ndj| muo| uvn| mbi| hao| lgg| mze| qkw| xrc| swd| drv| efg| twc| jzf| xfe| ois| eff| vsv| mmt| ypo| jrn| jtc| xcg| ppg| ows| tvh| yvy| evd| zsy| dgz| roq| icp|