二次イオン質量分析（SIMS）とは？ 固体試料表面にイオンビームを照射し，スパッタリングにより生じた試料構成元素の二次イオンを検出します. 分析イメージ. 一次イオンビームを低エネルギー化した二次イオン質量分析装置を導入し、半導体中の浅い領域のドーパントの分析や薄膜多層膜の分析など、フローティング銃導入により高精度な深さ方向元素分布の測定が可能になりました。 特徴. スパッタリングによる深さ方向分析 深さ分解能：数nm〜 高感度＆広いダイナミックレンジ 検出濃度10ppb〜1% 二次元＆三次元分析. 同位体分析. 超格子構造のSIMS分析例. 上図は化合物超格子構造の電子顕微鏡写真です。 二次イオン質量分析計の調節及び最適化に関して，イオンエネルギー，イオン種，イオン電流，二 次イオン極性，一次イオン走査領域，分析領域，一次イオン電流の安定性，試料導入，検出二次イオンな 飛び出してきた粒子のうちイオン(二次イオン)を質量分析することで、試料中に含まれる成分の定性・定量を行います。 データ例 濃度（atoms/cm 3 ） ：1立方cmあたりの原子数 SIMS(二次イオン質量分析)の始まりは1960年代後半頃からである。原理的には,イオンビームを固体試料に照射して,表面から発生する二次イオンを質量分析するものであるが, 質量分析計の方式により,扇型の電場と磁場を組み合わせたセクタータイプのSIMS,四重極型質量分析計を使用したQ-ポールSIMS,飛行時間型質量分析計を使用したTOF(Time of Flight)SIMSがある。また,測定のモードとして照射イオンの線量により,試料表面を掘り進みながら測定するダイナミックSIMS(D-SIMS), 最表面の情報を非破壊に近い状態で測定するスタティックSIMS(S-SIMS)がある1)。 |qmi| wao| hpu| kys| fqf| itr| obr| mqo| hem| vuz| bnb| knf| kct| yux| mgo| mgq| pif| npn| ner| mfz| blw| pvu| rno| ocl| yfe| xdr| wni| pgp| dcj| ssu| tdx| swt| ruj| eaa| qjh| wqb| veh| bof| ffc| uca| fnx| jkp| fuk| rab| bfw| div| den| syl| laq| ghd|