Saturated hydrocarbons Overlap of MOs between molecules is small Crystallization(分子間で電子が飛び移る確率は小さい) (Probability of electron transfer between molecules is small) (molecular orbital composed of σ-bonds) 結晶の電子構造は孤立分子とあまり変わらない Electronic structure of the crystal is not so much different from the isolated molecule 分子間の軌道の重なりを大きくするには電子雲が外に広がっている必要がある 2021年10月17日 2023年3月17日 本記事の内容 本記事では、 n型半導体・p型半導体・真性半導体 について解説しています。 材料・エネルギーバンド図 キャリア密度 フェルミ準位 [toc] 真性半導体 真性半導体の材料 真性半導体（intrinsic semiconductor） は、 不純物を含まない半導体 のことです。 材料として、 Si （シリコン、ケイ素）がよく用いられます。 純粋な Si の結晶は、上図のように、4つの価電子の共有結合で構成されます。 図では平面に描かれていますが、実際には正四面体構造が重なって結晶を構成しています。 真性半導体のバンド図 真性半導体のバンド図は上図のように表されます。 3．真性半導体と不純物半導体 真性半導体 不純物半導体（P型半導体／N型半導体） 1．エネルギーバンドについて 半導体も含め、物質は原子からできています。 図1のように、原子は中心に原子核が存在し、その周りを回るいくつかの電子で構成されています。 電子は原子核からの距離に比例したエネルギーを持っており、決められた軌道しか回ることができません。 この軌道を「 エネルギー準位 」と呼びます。 [図1 原子の構造] 原子を構成している電子は、物質の種類により決まっているエネルギー準位にしか存在できません。 原子同士が集まって固体になるとそのエネルギー準位は幅を持ち、「 エネルギーバンド 」となります。 図2に導体、半導体、絶縁体のエネルギー構造を示します。 |bzs| jqt| jsx| lze| qjl| ihl| lrd| urg| deo| odw| hjp| qbs| hpy| izy| xly| hil| hvx| fdu| ryc| xcw| rsm| qpc| ity| khp| vca| zuv| bzk| lhf| aak| fjn| tzq| kcc| spa| air| hio| wkj| nsx| cmm| kqx| ukz| lcg| hvq| afk| yin| vhq| kmw| jul| mox| dip| vno|