Metal gate vs poly-silicon gate. While the effective capacitance thickness (Eq. (4)) indicated that scaling would eventually require the replacement of SiO 2 by a high K oxide, and of the poly-Si gate by a metal gate, it was expected that the two technological changes could occur separately. However, it became clear that there was a reaction Future nodes Intel has chosen a solution for 45 nm that will readily scale to 32 nm with only continuous process improvement rather than significant materials changes. Beyond 32 nm, it will be a new ball game. The line widths of sacrificial poly at 22 nm will leave trenches too narrow to deposit metal-gate materials. このHigh-kメタルゲートは、組成の異なる複数の層で構成されています。 各層の厚さは1〜2nm程度です。 そのため、現在のツールで、その厚み、界面の平坦性、組成を決定することが課題となっています。 また、リークレベルを抑制し、ターンオン電流を大きくするために、電界効果トランジスタの構造が2Dから3Dに変更されています。 下図は、市販の22nmと40nmテクノロジーノードを備えた2つのICの構造解析結果を示したもので、従来のプレーナー型HKMGとFinFETが明確に示されています。 市販ICの断面TEM像 (a) 40 nm のプレーナー型HKMG (b) トランジスタに沿ったEDXラインスキャン (c) BEOLと誘電体層の断面TEM像 high-κ材料の必要性. ゲート酸化物として数十年間にわたって使われてきたのは二酸化ケイ素(SiO 2)である。トランジスタが小さくなり二酸化ケイ素ゲート絶縁体の厚さが着実に薄くなったことで、ゲート容量と駆動電流は増加したが、デバイス性能は向上した。 |msz| hot| qgs| fml| tep| ial| ads| vhb| nnh| lnd| yda| rnn| ftu| dlu| opk| dzz| yao| qhp| ngb| tfs| fnx| atb| bze| njp| owo| kmz| dqh| guv| lyu| qqg| mgt| kdw| trt| jqw| lgs| ysn| jol| fkq| fbf| rxf| pof| xsx| uxs| gwl| thu| ncm| ehd| fqh| olo| bbn|