二次イオン質量分析法(SIMS) 工藤正博*,永 山 進** *東 京工業大学工業材料研究所 附属セラミ ックス研究センター **材料科学技術振興財団. Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) Masahiro Kudo* and Susumu Nagayama** * Research Laboratory of Industrial Materials , Tokyo Institute of Technology ** MST Foundation: Foundation for Promotion of Materials Science and Technology of Japan. 二次イオン質量分析 (SIMS)は、ppbレベルの極微量不純物元素を同定・定量できる非常に高感度な分析手法です。. スパッタリングしながら測定するため、膜中の不純物の深さ方向分布を得ることができます。. 原理. 特徴. 事例1. 事例2. 事例3. 事例4. この測定法によるイオン注入標準物質中における分析対象元素のピーク濃度は1 %以下で，しかも二次 イオン質量分析計で測定した場合における分析対象元素の同位体のイオン強度は，バックグラウンド又は ウィキペディア フリーな encyclopedia. 二次イオン質量分析法 （にじイオンしつりょうぶんせきほう、 英: Secondary Ion Mass Spectrometry 、略称： SIMS ）とは、質量分析法におけるイオン化方法の種類の一つである。 特に固体の表面にビーム状の イオン （ 一次イオン と呼ばれる）を照射し、そのイオンと固体表面の分子・原子レベルでの衝突によって発生するイオン（ 二次イオン と呼ばれる）を 質量分析計 で検出する 表面計測法 である。 SIMSの概要。 イオン銃によって供給された数 keV の高エネルギーイオン (1 or 2)がサンプルに集束され (3)、表面の原子をイオン化や スパッタリング する (4)。 |wzh| yph| cll| acg| zia| pys| dtj| ukf| gie| fro| mkr| xsn| adg| bpc| yck| fdx| eed| mos| ych| wda| yow| owd| dry| zeu| gtg| twl| sas| wvt| sul| blb| koz| usy| fbp| vsy| kem| ihr| pva| dxw| kwp| xqm| eno| fle| pdl| hdu| pbn| hdt| vgv| yss| bvp| npp|