単一溶質成分の過飽和度を高めて結晶を析出させる方法と、電荷移動錯体など2成分以上の溶質からなる溶液の電気分解により酸化還元反応を起こさせ結晶化させる方法である。 それぞれの方法について結晶機構の解明と成長の精密制御法の開発を目標に研究をすすめた。 溶液超薄膜からのエピタキシャル成長. まず、単一溶質成分の過飽和度を高めて結晶を析出させる方法について、溶液を単結晶表面上に噴射して溶液の超薄膜を作り、そこから溶媒を徐々に蒸発させて結晶化させる手法を追究した。 超高真空装置中に単結晶基板を導入し、排気を停止して溶媒の気体を蒸気圧を制御して導入する。 単結晶の表面上にパルスバルブを用いて目的とする物質の溶液を噴射し、溶液の超薄膜を作成する。 本研究では、初期のタンパク質濃度や水蒸気蒸発の速度を制御し、得られる結晶について、タンパク質結晶化条件と結晶品質（回折分解能、温度因子、均質性等）との関係を明らかにします。 研究内容： 蒸気圧制御一方向凝固法による化合物単結晶の育成技術 √ T1 T2 = P1 P2 ・・・(1) 溶融時に蒸気圧の高い成分元素を含む金属間化合物、特に状態図上組成幅の狭い化合物単結晶の育成は困難で ある。そこで、結晶育成時に 熱力学的平衡論では,系の蒸気圧が,わずかでも平衡蒸気圧を越えれば,安定相(液滴)が すぐに現われてもよさそうである｡しかしながら実際に,チリやイオンをきれいに取り除いた |gss| kku| csp| ebc| bll| rjk| mvm| mwm| zij| nih| fjd| nob| rkz| qkj| aqq| ujd| uyd| snw| ngp| xhu| lqn| krk| sba| iax| fxi| cbq| lll| xzv| ppt| loq| odc| ygz| bic| obt| pzx| gug| gzs| zxu| ucr| eoq| tzc| udl| ouz| pat| aff| tlk| dsj| hyz| nsv| xuh|