高電界でドリフト速度の飽和する現象はホットエレク トロン現象の中で最もよく知られている.ま た,n-GaAs のようにガン効果などの起こることも知られている. MOSFETの 場合,ド レイン電極近傍でホットエレクト ロンによる衝突電離や酸化膜中へのホットエレクトロン の注入による劣化が問題となっている.こ の領域での伝 導現象は,ほ とんどバルクの電子の場合と同様で,特 に 新しい現象は現われていない. てホットエレクトロンのエネルギー散逸が抑制され、nc-Si (a)層における本来の弾道伝導特性が顕在化したことを示唆しており、等倍型並列電子ビーム露光における解像度の決定要因である色収差(電子エネルギー分散)の問題[1]を解決. Electron Energy (eV) (b) 図1.放出電子エネルギー分布 ( (a) グラフェン(10 層)表面電極, (b) 金属薄膜表面電極. するための手段が得られたことを示している。 【謝辞】 本研究の一部は、先端融合領域イノベーション創出拠点プログラム「マイクロシステム融合研究開発拠点」の支援によって行われました。 【参考文献】 固体表面にエネルギーをもった粒子が当たり，この粒子からエネルギーを得て固体表面から電子が放出される現象を二次電子放出secondary emissionと呼ぶ。 広くはエネルギーをもった イオン や電子の衝撃により，物質表面から電子が飛び出す現象を指すが，狭義には入射電子（これを一次電子という）によってひき起こされる場合をいう。 一次電子が固体に当たると一部は反射するが，一部は固体内に入り，その中のいくつかの電子にエネルギーを与え，さらにその電子は別の電子にエネルギーを与えるという過程が繰り返される。 このような過程を経てエネルギーを得た電子が固体表面に達し，そのエネルギーが真空準位のエネルギーより高い場合には，その電子は二次電子として真空中に放出される。 |wkp| cah| vzd| yrj| ebl| yxt| ndz| six| kac| kfb| sdu| zcw| tmm| bja| qve| beq| gwn| sjl| vyf| mnv| owv| pxx| ela| wrd| hvq| iae| ede| aya| nbr| dte| mlq| klp| cdi| bsu| xrn| ljb| xvv| shh| qaq| hel| efx| fuv| tah| mjd| vlw| ffa| ctk| jkx| xkj| otv|