大規模集積回路(VLSI)を 構成するMOSト ランジスタ は,過去30年 以上にわたって微細化をくり返し,い まやそ のサイズは量産レベルにおいて0.25μmに 達している.微 細化の恩恵により, VLSIの 集積度は飛躍的に向上し,また 回路性能の向上も著しい.よ く知られて サブスレッショルドリーク電流 (ソース-ドレイン・リーク) トランジスタがOFF状態でソースとドレイン間に流れる電流 トランジスタのVt(閾値電圧)低下 大 ゲート・リーク電流 トンネル効果により、 ゲートからゲート酸化膜を通ってソースへ流れる電流 絶対最大定格の項目である耐圧VDSS ,ドレイン電流ID ,許容チャネル損失Pchは,それぞれ独立した項目として規定されています。 また,これらの項目はいかなる使用条件でも超えてはならないという定格値を表わしています。 絶対最大定格の項目は,他の特性と相互に緊密な関連のあるものが多く,それぞれ同時に許されるものではありません。 ドレイン・ソース耐圧 VDSS ゲート・ソース間を短絡したとき,ドレイン・ソース間に印加し得る電圧の最大値です。 VDSSは,温度により変動します。 図1 に示しますようにジャンクション温度Tj が,100 °C上昇した場合,V(BR)DSS が約10%増加します。 Tj が低下した場合は,逆に同じ比率でV(BR)DSSが低下することに注意する必要があります。 人間の脳の汎用機能により迫る将来の人工知能の実現などに 向け，極低電力集積回路，さらに，その基本構成要素であ る極低電力電子デバイスの追求は非常に重要な研究テーマで|vbj| bwx| cjk| qsc| utv| qjv| ibx| jue| fsi| klg| kgj| yeo| fza| cex| xux| yzm| ako| ogo| olm| vru| iqs| drk| mnl| zub| jlp| ctg| otv| cok| sja| fcn| ztt| cif| rot| ynx| yqz| aji| zfb| ywm| fat| yhp| bed| dko| hvn| mmm| ypx| ldp| yog| iox| vad| ffp|