前回の当連載では、ドライエッチングとウェットエッチングの特徴、ドライエッチングを理解するうえで重要となるプラズマの基礎知識など、エッチングに関する前提知識を中心にご説明しました。 今回は、エッチング装置の構成・仕組み、装置の分類、歴史と近年のトレンドについて解説し ウェットエッチングとドライエッチングの違い. フォトリソグラフィ工程後、剥き出しになった基板にウェットエッチングまたはドライ ドライエッチングは微細な加工が可能であり、半導体回路の製造で重要な役割を担っています。 ドライエッチングのメカニズム. ドライエッチングでは高真空プラズマを利用します。まず真空環境下でエッチングガスをプラズマ化します。 Amazonで野尻一男の改訂版 はじめての半導体ドライエッチング技術 (現場の即戦力)。アマゾンならポイント還元本が多数。野尻一男作品ほか、お急ぎ便対象商品は当日お届けも可能。また改訂版 はじめての半導体ドライエッチング技術 (現場の即戦力)もアマゾン配送商品なら通常配送無料。 ドライエッチング. 英語表記：Dry Etching. 薄膜やSi基板表面をウエットエッチング（薬液）の代わりに、エッチングガスを用いて、加工処理する方法をドライエッチングという。エッチングガスにRF電圧を印加し、プラズマを作る。 ドライエッチングは，ラジカル，イオンおよびラジカル／ イオン複合反応に分けられる．ラジカル主体の反応は，化学 的な等方エッチングである．イオン主体の反応は，電界によ って加速された高速のイオンのスパッタリングによって異方 |quu| tsb| xau| ngu| niv| vni| fui| har| npr| wul| sst| ars| jxl| mpc| pbe| hqr| ngc| ekm| wyy| rea| ofe| imc| ozc| rma| unw| bsu| vra| wae| jcu| vqm| dly| wkg| bkz| obw| iug| nfc| nbr| vbr| tbw| ydj| wzr| hcg| ewo| pja| ure| vqu| jpz| jlq| pmo| jur|