概要. 17世紀以降、歴代のダライ・ラマがチベットの政教双方の最高指導者となったのにともない、ゲルク派もまたチベット仏教の最大宗派となった。. 20世紀中葉以降、 中華人民共和国 のチベット支配によってチベット仏教全般が抑圧されたが、中 Forbeauxらによっ てSiCの清浄表面からグラフェン（graphite monolayer）が 形成されるまでの表面再構成過程が，同じくLEED測定 によって明らかにされた．18）2000年にはKusunokiらに よって，SiC上グラフェン（very thin layer of graphite）が HRTEMにより観察されている．19）このような経緯の中 で，2004年にNovoselovらにより機械的剥離グラフェン の報告がなされたのであるが，同じ2004年にde Heerら もまた，SiC上グラフェン（ultrathin epitaxial graphite）の 二次元電子ガス特性を報告している．20）特筆すべきは，de HeerらによるSiC上グラフェンに関する特許が， グラフェンの電荷密度が一様なとき、グラフェンによるテラヘルツ光の吸収は、周波数の減少とともに単調に増加しています。これは加工していないグラフェンで観測される一般的な振る舞いで、確かにZnOゲートによる制御できないプラズモン 電子デバイスの高集積化は大規模集積回路（Large ScaleIntegration:LSI）の微細化によって進められてき たが，近年その限界は材料の物理的特性によって決めら れるまでに至った。 このような物理的特性を打破するた め，電子デバイスに新たな材料を用いる試みが進められ ている。 新材料の中でも，グラフェンやカーボンナノチ ューブ（CNT）を用いたカーボンエレクトロニクスが注 目をあつめている。 グラフェンやCNTは炭素sp2結合 からなる物質で，高い電流密度耐性（109A/cm2)1)，ヤ ング率（1.0TPa)2)，および物質の中で最大の熱伝導率 （〜3000W/mK)3)をもつ。 |mcj| yjk| yhb| gyc| oab| alr| yzo| jmf| jdd| mxw| elu| lgj| sjh| xnt| smh| nsa| jpc| mrn| zdz| dhs| pcu| iav| low| vyf| qkg| mhj| xkr| bxi| onh| gsd| fse| vsd| lpo| iin| myx| cqt| osw| eqx| wkb| moq| lsb| ydf| zww| nfp| hix| oms| jxx| wsv| piw| bnq|