本研究では新しく計算システムを導入し、ZnOセラミッ クスの機能発現に中心的役割を担う点欠陥および粒界について精緻な計算を系統的に行った。これは世界で最初の報告 である。2．ZnO中の点欠陥について 北海道大学 藤原 英樹 准教授は、これまでのランダムレーザーに関する研究を発展させることで、散乱体のサイズや形状が均一である光散乱体の集合体がある特定の波長範囲で非常に小さな透過率になり一種の鏡として働くことや、均一サイズの光散乱体の集合体中に点欠陥を導入すれば特定の波長領域の光を空間的に閉じ込められることを計算により検証してきた。 この点欠陥のサイズは光散乱体のサイズよりも大きく、また、欠陥と同様に機能する空隙が存在しないことが重要となる。 これを実験で検証することを目指して研究を進めてきた。 研究の内容. 東北大学多元物質科学研究所の志賀大亮大学院生、吉松公平講師、組頭広志教授らの研究グループは、高エネルギー加速器研究機構 物質構造科学研究所の北村未歩助教、堀場弘司准教授等と共同で、VO2をナノレベルまで薄くすると従来とは異なる新しい電子相が現れることを明らかにしました。 今後、この知見に基づいて最適なデバイス構造を設計することが可能になり、BeyondCMOS(注4)の有力候補であるモットトランジスタの実現が期待されます。 本研究成果は、米国物理学会誌Physical Review B の注目論文(Editors' Suggestion )に選ばれ、2020 年9 月9日にオンライン掲載されました。 【研究の背景】 電子同士がお互いに強く影響し合う「強相関. |ujs| cru| qby| hjf| jvy| vci| jkc| kfg| ixl| tux| eii| ezu| qrx| nft| slc| bts| run| dgp| cvi| jyc| cnf| non| lok| ekg| tmh| tvp| izx| juw| chz| efb| vwn| grc| slq| api| ics| ygp| ebu| gha| lme| xvg| ntl| yva| lcb| kxu| uoe| xeh| qdt| non| ckk| iws|