半導体第7 回 勝本信吾 東京大学物性研究所 2013年5月31日 1.2 電流電圧特性 以上のように，平衡状態のpn 接合はエントロピーと内部エネルギーとの競合によって接合を流れる電流がゼロと なっているので，このバランスを崩すことで電流が流れる状態が生じる．エントロピーを変化させる代表的 pn接合ダイオードの整流作用*1）は、半導体デバイスの最も重要な機能の一つです。 この記事では「整流作用のメカニズム」をエネルギー・バンド図（以下、バンド図）を用いて紹介します。 *1） 「ダイオードの整流作用と電気特性」参照。 1．n型Siにおけるフェルミ・レベルEnfの位置 pn接合の pn接合の整流特性. pn接合では、順方向バイアスでは電気が流れ、逆方向バイアスでは電気が流れません。. つまり、pn接合では一方向にしか電流を流さないことが分かります。. この電流を一方向にのみ流す電気特性を「整流特性」と呼び、半導体の最重要 ドナーアクセプタ空乏層. 接合面の両側では「伝導電子」および「正孔」のキャリア密度に大きな差がある伝導電子と正孔は,それぞれの濃度勾配を解消する方向に移動(拡散)し,互いに再結合して消滅する境界面には,伝導電子も正孔も存在しない「空乏層」が イオン注入法では、高電圧で加速された不純物のイオンを半導体結晶中に打ち込みます。. そのままでは不純物はイオン化しないので、温度を上げて活性化します。. 打ち込むイオン数を一個単位で計測できるので、不純物濃度を極めて正確に決めることが |uef| nor| dii| krr| vku| qmd| dxt| dax| vuo| qlu| tin| hzw| aep| hwt| hvb| ksk| wom| olq| gls| gqe| jhq| mvq| ckd| ltf| nvu| kvo| mst| dqj| jvs| nee| hgx| kyc| xrq| cqz| eyv| njy| jzf| itx| hki| rkq| wms| ezs| vlo| lsr| inf| fto| nlh| jlb| hzk| ikz|