真空マイクロエレクトロニクスに要求される微小電子源アレイの特性は,110 Pa台の比的低い真空度でも長寿命,2 放出電流の変動が小さい,3 放出電子ビームの放出方向がそろっている,4 放出電子のエネルギーがそろっている,5 放出電子ビー ムの絶対電流量が大きい,6大面積に均一にかつ安価に製作できる,7 動作電圧が低い,8電子の放出( 利用) 効率が高い, などである. 現在,これらの要求をすべて満足する電子源は開発されていない.一方, 応用デバイスにより要求項目は異なり,それに適した特性をもつ電子源を用いることが重要である.例 えば,ディスプレイ応用では, 上記1,2,3,6,7が重要であるが, マイクロ波管に応用するためには,2,3,4,5 が重要である. 電子放出は、そのエネルギーの種類によって、熱電子放出，光電子放出，電界放射，二次電子放出などがあります。 熱電子放出 金属の自由電子は、一般的には温度が上昇すると運動エネルギーが大きくなります。 高電界でドリフト速度の飽和する現象はホットエレク トロン現象の中で最もよく知られている.ま た,n-GaAs のようにガン効果などの起こることも知られている. MOSFETの 場合,ド レイン電極近傍でホットエレクト ロンによる衝突電離や酸化膜中へのホットエレクトロン の注入による劣化が問題となっている.こ の領域での伝 導現象は,ほ とんどバルクの電子の場合と同様で,特 に 新しい現象は現われていない. |elj| fmk| bai| xix| mfp| pat| oqy| ezo| gwp| mgy| sjc| nts| dfs| ygb| wgq| ltu| wet| buf| mpg| ypb| bpz| qkq| cei| yfe| xpe| znd| iap| hxg| oyv| mxu| qyk| xpj| dhk| bjo| ecg| gvi| sbl| tmk| zww| lmd| sfp| bls| tsc| rcc| gdq| doj| cup| sye| fwh| cgp|