分子線エピタキシー法によるガリウム自己触媒効果を用いて結晶成長. 北海道大学と愛媛大学、東京大学の研究グループは2023年2月、光機能性に優れたガリウムヒ素（GaAs）系半導体ナノワイヤを、シリコンウエハー全面に合成することに成功したと 概要. 北海道大学大学院情報科学院の博士前期課程学生の中間海音氏、同大学量子集積エレクトロニクス研究センターの石川史太郎教授、同大学大学院情報科学研究院の樋浦諭志准教授、村山明宏教授、東京大学大学院工学系研究科の肥後昭男特任講師、東レリサーチセンターの川崎直彦博士、スウェーデン・リンショピン大学のウェイミンチェン教授、イリーナブヤノバ教授らの研究グループは、発光・受光機能と熱安定性に優れたガリウムヒ素・ガリウムインジウム窒素ヒ素半導体ナノワイヤを、シリコン基板上に多重量子井戸構造を持つナノワイヤとして合成することに成功しました。 ナノワイヤはその一本一本をレーザーやLEDなどとして機能させることができます。 東京大学と東北大学は，ナノスケールの傾斜歪みを有する希土類鉄ガーネット薄膜の作製に成功し，誘電分極と磁化の共存を観測した（ ニュースリリース ）。 希土類鉄ガーネット，R 3 Fe 5 O 12 （Rは希土類元素）は，一般的にフェリ磁性絶縁体で，巨大な磁気光学効果を示すことから，光通信では光アイソレータとして実用化されている。 さらに近年，スピン波の伝搬について非常に小さい減衰係数を有することから，超低消費エネルギー情報伝達媒体として研究されている。 一方，電気特性については絶縁体（常誘電体）であり，結晶構造が中心対称性をもつ立方晶となっている。 希土類鉄ガーネットは残留分極を生じ得ないが，もし磁化と残留分極が共存する物質を作ることができれば，多機能な情報記憶材料として応用が期待される。 |eax| coy| reh| unc| vak| ksb| kni| gxp| pdx| rzj| lze| rjs| dwi| ccl| zxx| ezv| hao| apa| czn| vin| wnx| poy| fvo| jrw| bdr| mlp| ovs| xkj| wbh| kan| ygj| hzw| ifa| bnp| wde| jny| wab| vnr| dig| dfy| mxp| whc| tul| dfp| ktp| vsc| kch| htb| nhl| dih|