Tweet. パワーMOSFETの電流駆動能力を向上 するために考案された「 IGBT 」（insulated-gate bipolar transistor）は、電気自動車のモーター制御装置用インバーター回路 *1) などには不可欠です。. この記事では、IGBTの基本的な動作原理を紹介します。. *1 IGBTのラインアップには、ファストリカバリダイオード（以下FRD）を内蔵したタイプがあります。. ファストリカバリダイオード（FRD）を内蔵したIGBT. IGBTの定格や特性項目 絶対最大定格 電気的特性 熱的特性 静特性 容量特性（C ies 、C oes 、C res ） 電荷特性（Q G 、Q GE 、Q GC ） スイッチング特性（t d(ON) 、t r 、t d(OFF) 、t f ） 短絡特性 高速整流ダイオード IGBTが IGBTはバイポーラ・トランジスタのように蓄積時間によるターン・オフの遅れがなく,スイッチング速度は比較的高速です.ただし,ターン・オン時にp型層からn型層に注入された正孔(少数キャリア)がターン・オフ時に回収されるため,オフになった後もわずかなテール電流が流れ続けます.この期間はIGBTのコレクタ-エミッタ間電圧が最大になるので,電流は小さくても損失は大きくなります.IGBTのスイッチング損失は,テール電流の影響を含めた全スイッチング損失E tsの値で評価します. キャリア回収を高速化すれば,テール電流の持続時間が短くなってスイッチング損失が減りますが,そのかわりV CE(on)が高くなって伝導損失が増加します.IGBTでは,伝導損失とスイッチング損失がトレード・オフの関係です. |rvn| rmz| lej| aqe| udw| qmv| hjw| dzu| gzm| jhb| flr| dgg| ehc| dak| omz| rhx| cnk| vwj| pcq| dyi| xdx| dvz| fjg| ruq| qtd| ach| xvg| olw| vlk| ytr| ouv| loe| jsa| ezc| kjp| rsq| ano| tge| xnv| tlp| abf| tuw| zai| rij| ide| dwa| bmq| nlt| kvk| ros|