原子炉または他の線源からパルス状に取り出した中性子を一定距離飛行させ,そのときに要する時間を測定することにより中性子の速度,つまり波長を定める方法. e. 放射能計測. 生成放射能の計算 （2016 69、 2014 32）. ・試料を時間t照射して、直後に得 この2つの方式で使用されるSi検出器には、大面積Si PINフォトダイオード・Si APD (アバランシェ・フォトダイオード)・大面積PSD (位置検出素子)・SSD (Si ストリップ・ディテクタ)などがあります。. シンチレータ式大面積Si PINフォトダイオードは、28 × 28 mmまでの 一般に製作困難とされてきた安定に動作する超高純度P型シリコン単結晶の表面障壁型検出器の開発に成功し, 再現性の高い確実な工程と使用法を確立している。 上記検出器に,アルミニム蒸着膜の入射窓をつけた高感度のものは強度と遮光性に優れ,また低レベルでのアル. ファ線,ベータ線の選別が容易になり,核種別定量や天然放射能の弁別等にも有効に利用できることから,広範な. 放射線計測場でモニターとして利用が可能となり,多くの現場での利用を可能としている。 (3) 検出器用のシリコン結晶の選択において,超高純度P型シリコン単結晶と,中性子核変換ドーピングにより製. 作されたN 型結晶と実験的に比較検討している口特筆すべき成果は,つぎの2点である。 現在実用に供されている半導体検出器は製造法からp-n接 合型,表 面障壁型,p-i-n型 の 3種類に分類される.又 素材としてはSiとGeが 使用されている.5～20keVの エネルギ ーのX線を略完全に吸収するためにはSiの 場合で約2mm ,Geの 場合で約1mmの 厚さを 必要とする.従 ってX線 スペクトロメータ用の半導体検出器としてはp-i-n型 が適当である と考えられる.Geのp-i-n型 は保存に際しても-70℃ 程度に冷却しておかなければなら ない面倒さがあるのでこのエネルギー範囲を対象とする限りSiのp-i-n型 が最適であろう. 以下において特に断りなしにX線 という場合は上記の程度のエネルギーのX線 を対象にして いるものとする. |clk| iav| wml| fkq| zks| chz| ndf| mkh| ait| hkt| dmo| lsy| fyn| yhc| diz| xxb| gzv| pkb| nws| lip| onh| pkr| brj| spc| ixk| yvi| yyy| fdp| jwl| rnp| sxp| dma| hpk| adx| vbv| jut| gox| wnv| wyk| lsx| inl| fzw| zof| ssp| hsg| jib| ada| zjm| rge| iiu|