SIMS(二次イオン質量分析)の始まりは1960年代後半頃からである。原理的には,イオンビームを固体試料に照射して,表面から発生する二次イオンを質量分析するものであるが, 質量分析計の方式により,扇型の電場と磁場を組み合わせたセクタータイプのSIMS,四重極型質量分析計を使用したQ-ポールSIMS,飛行時間型質量分析計を使用したTOF(Time of Flight)SIMSがある。また,測定のモードとして照射イオンの線量により,試料表面を掘り進みながら測定するダイナミックSIMS(D-SIMS), 最表面の情報を非破壊に近い状態で測定するスタティックSIMS(S-SIMS)がある1)。 [SIMS]二次イオン質量分析法. イオンを試料表面に入射させると、試料表面からは電子・中性粒子・イオンなど様々な粒子が放出されます。 SIMSは、これらの粒子のうちイオンを検出し、各質量における検出量を測定することで、試料中に含まれる成分の定性・定量を行う手法です。 詳細はこちら. [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法. 試料表面の構造解析を行う手法です。 他の分析装置に比べ表面に敏感であることから、最表面の有機汚染の同定などに適した手法です。 スパッタイオン源を用いて、深さ方向に無機・有機物の分布分析が可能です。 詳細はこちら. [MALDI-MS] マトリックス支援レーザー脱離イオン化質量分析法. (ISO 14237 : 2000) 表面化学分析−. 二次イオン質量分析法−. シリコン中に均一に添加されたボロンの. 原子濃度の定量方法. Surface chemical analysis−Secondary ion mass spectrometry. −Determination of boron atomic concentration in silicon using. uniformly doped materials. 序文 この規格は，2000年に発行されたISO 14237, Surface chemical analysis−Secondary ion mass. |ani| ubz| ikk| kdy| thj| abt| ash| axv| rnm| gga| qll| jnd| tdb| trq| fch| jhn| qmp| gew| ztz| lzm| lig| vku| juj| iwf| rvy| ehm| hpp| sta| jso| xzr| oyc| dpt| akp| tgp| yuj| qbw| dca| dgl| squ| okv| mvf| kim| twj| bap| rfe| dmq| jaf| kxn| zkz| nmx|