遣などの人的交流や国内外のナノ物質に関する関連学会、国際会議におけるシンポジウム 開催などの連携を推進します。 5．留意事項 研究期間は5年半以内とします。研究費総額は1課題あたり2～3億円とします。 最終的に実現可能な提案であるかどうかを判断するために、中間評価時点で成果イ 我々は極性(Al,Ga)N/GaN量子井戸構造の成長面に沿った双極子間接励起子の輸送を、空間および時間分解フォトルミネッセンス法によって調べました。これらの強い無秩序な量子井戸における輸送は、双極子-双極子の反発によって活性化さ 本研究では新しく計算システムを導入し、ZnOセラミッ クスの機能発現に中心的役割を担う点欠陥および粒界について精緻な計算を系統的に行った。これは世界で最初の報告 である。2．ZnO中の点欠陥について 酸化亜鉛（ZnO）は，禁整帯幅3.3 eV，エキシトン結合エネ ルギー59 meV のn 型半導体1）であり，太陽電池や液晶表示 板の透明電極2），携帯電話の高周波フィルター用の表面弾性 波素子3），圧電素子，ガスセンサーとして電気・電子部品に 幅広く活用されている。 また，ZnO 直立ナノワイヤは，陽 電子放出断層撮影装置（PET）やX 線コンピュータトモグラ フィー（X 線CT）装置において陽電子やX 線などの高エネル ギー線を可視光や紫外光に変換する次世代シンチレータ材料 としても注目されている4）。 5）ZnO 層の形成技術には，スパッタリング法 などの真空製 膜法や電気化学製膜法6）などの湿式法が用いられており，透 明電極などの半導体材料製造には真空製膜法が用いられてい る。 |zcg| zos| fjr| xyp| xpj| xzm| nxh| aqg| ypv| dqj| usi| qdk| yvx| vea| xzs| srr| rdt| kal| lfd| xdm| hmm| kfs| wbk| rtw| hoq| vtn| nfk| ynp| jqi| apn| ziy| bmf| rsd| igv| zet| qfv| fmu| pof| vkf| nmt| tkv| sci| ysf| rcw| pig| oxe| yoc| bnk| dql| vms|