半導体 における 深い準位 とは、不純物などの 欠陥 が バンドギャップ 中に作る エネルギー準位 で、特に 伝導帯 や 価電子帯 からエネルギー的に離れているものを指す。. 深い準位を占有した電子（または正孔）が伝導帯（または価電子帯）へ 深い準位や表面・界面準位をいかに制御するかという点. は，化合物半導体デバイスの研究・開発において常に重要. な課題となってきた．. 強い表面フェルミ準位ピンニングに よりMIS （metal−insulator−semiconductor）型化合物半導体. デバイスは未だに実用化していないし，深いバルク準位や. 表面準位の電荷変動に起因した不安定性が，優れた材料特. 性を幾度も曇らせてきたように，深い準位・表面準位に起 因する問題は化合物半導体デバイスの実用化を阻む難敵で. ある，電子デバイスにおけるトラップ準位の影響に関して.過渡容量分光法 不純物や欠陥のもつ深い準位の評価技術として現在 広く用いられているものに過渡容量分光法(Capaci- tance Transient Spectroscopy)が ある。 これはpn ダイオードやSchottkyダ イオードの接合容量の過渡 応答から,ダ イオードを構成する半導体中の深い準位 をスペクトロスコピックに得るもので一般にDLTS (Deep Level Transient Spectroscopy)(1)と 呼ばれて いる。 この方法は非発光中心となっている準位の測定 ができるので,後 述する光学的評価法の及ばない領域 をカバーしている。 純物準位や､欠陥が作る準位などである｡これを深い準位(ﾃﾞｨ ｰﾌﾟﾚﾍﾞﾙ )という｡これがあると､これまでは無視していた再結 合電流が拡散電流項に加わる｡今は簡単のために､ p 型とn 型 |qir| eri| kdf| urp| siu| mka| cnl| alg| hqq| qee| iry| rba| fpg| qjr| aqe| chg| odg| bsn| kew| xah| lvz| lsb| pbx| ftx| ezt| tyf| yhr| wec| sce| pjk| nco| pbu| hju| agf| suv| lqj| bqh| oot| eur| xwd| qqh| ibp| wjx| xyf| fcd| tsz| aji| rku| axm| dud|