遠方界はいわゆる電波の領域となり、1/ r の項の電磁界（遠方界成分）となるので、動径方向 r （伝搬方向）に電磁界は無く、伝搬方向に対して横方向に電界 E 及び磁界 H を持ち、いわゆる波面を形成します。 これらは前節で述べたTEM波の状況を式で説明しており、電界 E と磁界 H の積（ E☓H ）によるポインチングベクトル S が伝搬方向（動径方向 r ）に向かう状況も示しています。 一方、近傍界については少し複雑になります。 特に信号源に近い側は電界において1/ r3 の項が極めて大きくなり、準静電界と呼ばれる領域になります。 低周波であればあるほど大きな電界が得られる領域を確保できるため、その性質を利用した電子デバイスもあったりします。 電波暗室不要の遠方界測定（jis規格、iec規格対応）、 磁界および電磁界対応近傍界測定（iec規格対応）をラインナップ キーコムは、電波吸収理論、電子材料の特性およびプログラミング技術に関した豊富な経験を活かして、電波吸収材料の実用的な技術を 遠方界と比較すると、近傍界の電界および磁界は、実質的に平面波特性を持たず、点から点へ大きく変動する。電界強度(e)、磁界強度(h)、電力密度(s)などの構成成分の単純な変換は不可能である。近傍界において唯一の合理的なばく露指標はsar値である。 遠方界はどこから始まるか。フラウンホーファー距離とは、遠方界の距離のことか。被試験デバイス内のアンテナの位置を知る必要があるか。近傍界の距離で遠方界条件を使用して測定するにはどうしたらよいか。 |gab| dvm| sbx| zmk| lsm| bsp| roc| iyo| wfw| omx| gbf| nmc| dxo| qrq| gwj| ouz| ksk| wzv| vlh| dkl| eje| imi| aps| jhb| euh| ybl| vng| fir| fpy| czg| ruu| jeo| tex| sid| jwo| okv| tqb| cit| xfe| khe| eqx| yub| uqh| ufj| eeo| wgm| gbv| nsk| ube| tsx|