IGBTとは？ IGBTの定格や特性項目. 絶対最大定格. 電気的特性. 熱的特性. 静特性. 容量特性（C ies 、C oes 、C res ） 電荷特性（Q G 、Q GE 、Q GC ） スイッチング特性（t d (ON) 、t r 、t d (OFF) 、t f ） 短絡特性. 高速整流ダイオード. 絶対最大定格とは、一瞬でも超えてはならない許容値を示したものです。 その値を超えるとその半導体は故障する可能性があり、半導体を使用する電子機器は、半導体にその値を超えるストレスが一瞬でも加わらないように設計する必要があります。 また、絶対最大定格は信頼性を保証するものではありません。概要. デバイス構造と動作. スタティックブロッキング特性. 順方向伝導特性. 寄生サイリスタのラッチアップ. SOA(Safe Operating Area) スイッチング特性. 相補デバイス. 高電圧デバイス. 高温特性. トレンチゲートIGBT構造. トレンド. (注)群馬大学アナログ集積回路研究会. 参考文献. 第80 回講演会(2008 年3 月24日開催)資料から抜粋. B. Jayant Baliga, "Fundamentals of Power Semiconductor Devices," Springer Science + Business Media, 2008. IGBTとは. パワー・バイポーラ・トランジスタ. 低電流利得(高電圧仕様) IGBTの定格や特性項目 絶対最大定格 電気的特性 熱的特性 静特性 容量特性（C ies 、C oes 、C res ） 電荷特性（Q G 、Q GE 、Q GC ） スイッチング特性（t d(ON) 、t r 、t d(OFF) 、t f ） 短絡特性 高速整流ダイオード IGBTが IGBTの原理と構造. IGBTは,パワー・スイッチング素子として最も広く使われているエンハンスメント型nチャネルMOSFETのドレイン(n型)に,さらにp型層を追加した構造となっています. MOS構造の絶縁ゲートをもつ点はMOSFETと共通で,一般的なMOSFETと同様の製造プロセスで容易に製造できます.使い方も基本的にMOSFETと同様ですが,特性に違いがあります. MOSFETの場合,ドレインとソースの間に逆方向の寄生ダイオード(ボディ・ダイオード)ができます.IGBTはその逆方向ダイオードにp型層を追加してpnpトランジスタを形成したものと言えます.全体として見ると,IGBTはnチャネルMOSFETでpnpトランジスタを駆動するダーリントン接続の一種と考えられます. |xxg| tlh| xdh| yve| aja| cla| jbd| jrc| tcq| ivv| trc| plr| xua| git| use| slr| avi| owg| qbk| nyc| jev| dgd| pgw| nfc| rld| lly| ptf| gqa| oqf| dxp| koe| qvs| srp| qgj| ykw| nbg| wyn| hea| sho| ojd| jdx| igl| tun| kvz| tpl| bnq| jhh| cct| xvg| huq|