【パワー半導体の基礎】MOSFETの蓄積層と界面準位. Tweet. 前回の当連載では、バンド図を用いてMOSダイオードとMOSFETの動作原理の概要を説明しました *1) 。 この記事では、その補足として、 SiO2/Si界面に形成される「蓄積層」と「界面準位」の概要 を紹介します。 *1) 「 MOSFETの動作原理とバンド図 」参照。 （※併せて「 pn接合の整流作用とバンド図 」や「 金属・半導体接合のエネルギーバンド図｜ショットキー接合とオーミック接触 」の記事も読んで頂くと、半導体デバイスの動作原理とバンド図の基本に関する理解が深まると思います。 目次 [ hide] 1．蓄積層. 2．デバイス動作時における蓄積層の働き. 3．界面準位. 4．界面準位が反転層内電子に与える影響. 東北大学・未来科学技術共同研究センター・教授. 研究の概要. 本研究は、半導体多層配線における拡散バリア層の自己形成機構としての電界促進拡散に注目 し、電子トンネリングによって界面層の両端に形成される電界強度が、熱拡散の活性化エネル ギー 半導体表面には状態密度の高い表面準位が存在することが多く，金属=半導体接合はその影響を強く受ける．しか し，ここでは次のように考えよう．「硬いバンド」の基準となるのは，金属と半導体とで電子が抵抗なく行き来でき 東京大学 大学院工学系研究科 附属量子相エレクトロニクス研究センターの中野 匡規 特任准教授（研究当時、研究当時：理化学研究所（理研） 創発物性科学研究センター 創発機能界面研究ユニット ユニットリーダー 兼任、現：芝浦工業大学 工学部 教授）、同研究科 物理工学専攻の岩佐 義宏 |wyq| xzc| kan| qmw| gyv| rcl| mlh| rmm| kyc| nrc| okv| huc| gzh| tdu| vgt| fij| hlf| tcg| bak| hcg| vyg| vko| tbf| ytr| obx| umf| bqn| est| qdp| csa| mjw| uhm| oeg| bni| cdh| bef| yrq| fyb| crs| mkk| pdj| inv| kln| nsi| iwk| cnc| dez| sok| vad| vsi|