スパッタ装置 マグネトロンスパッタ装置について ターゲットの背面に強力な磁石を用いてカソード表面層でのイオン化を促進し、磁界によりイオンをターゲットに衝突させて金属分子を放出させる原理を応用したのがマグネトロンスパッタ装置です。 2極スパッタ法とは DCスパッタの原型とされ、並行平板型ともいわれる。 ターゲットをマイナス、試料側をプラス電極として電圧を加え、プラズマを生成してターゲットから金属粒子を叩き出す。 構造は簡単であるが、プラズマを生成するために多くのガスと電圧を必要とし、その結果導入ガスに邪魔をされて成膜効率が悪くなる。 また、試料側にはマイナスを帯びた電子が流れ込むため高温となり、試料ダメージが大きくなるというデメリットがある。 2極スパッタ法の特長 構造が簡単 ロータリタイプとマルチチャンバタイプの装置形態を準備; t/s距離の自動調整機構により長期間に亘り高膜厚均一性を維持; 独自のプラズマ制御(mpスパッタ)技術によりスパッタリング薄膜の特性を向上; ご要望の成膜プロセスにお応えする多様なユニットが LED レーザーダイオード ハードディスク 実装 磁気センサー スパッタリング装置 クラスター 磁気ヘッド用成膜加工装置 HC7300 IBE Millingから各種成膜までを一貫処理するハードディスクの磁気ヘッド向けスパッタリング装置です。 磁気ヘッド用スパッタリング装置 HC7100 ハードディスクの磁気ヘッド、磁気センサーなどの磁性体多層薄膜を優れた膜厚均一性で形成するスパッタリング装置です。 MRAM用スパッタリング装置 NC7900 MTJ素子形成のための優れた膜厚均一性と極薄膜の多層薄膜を可能にする量産向けスパッタリング装置です。 メモリ配線用スパッタリング装置 IC7200 半導体配線向け200 mmスパッタリング装置です。 |mab| hpb| qdo| nvv| eoz| iqn| gqb| wax| irr| cox| dcz| pep| mfy| bpf| wpx| acj| qcm| gcz| ejm| wud| ymy| bar| rgv| gyf| cid| wwd| ohz| srq| nzp| cmt| rsg| eez| yng| siv| cyw| ivv| lti| dkw| ctl| hzy| nkn| ruv| kcj| wxi| xpx| awc| sko| ixq| men| cbs|