光刻机工作原理： 光刻机 通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种 光学误差 ，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的 电路图 。. 光刻胶是半导体，面板，PCB等领域 光刻机根据用途的不同，可以分为用于生产芯片、用于封装和用于LED制造。 按照光源和发展前后，依次可分为紫外光源（UV）、深紫外光源 (DUV)、极紫外光源（EUV），光源的波长影响光刻机的工艺。 光刻机可分为接触式光刻、直写式光刻、投影式光刻。 接近或接触式光刻通过无限靠近，复制掩模板上的图案；直写式光刻是将光束聚焦为一点，通过运动工件台或镜头扫描实现任意图形加工。 投影式光刻光刻因其高效率、无损伤的优点，是集成电路主流光刻技术。 实际上，我们可以将投影式光刻想象为胶片摄影。 胶片摄影是通过按下快门，光线通过镜头投射到胶卷上并曝光。 之后通过"洗照片"，即将胶卷在显影液中浸泡，得到图像。 光刻工艺 （英语：photolithography 或 optical lithography，台湾称为 微影製程 ）是 半导体器件制造 工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光阻层上刻画几何图形结构，然后通过 刻蚀 工艺将光掩模上的图形转移到所在 衬底 上。 这里所说的衬底不仅包含 矽 晶圆 ，还可以是其他金属层、介质层，例如 玻璃 、 SOS 中的 蓝宝石 。 概述 在硅晶片上涂光阻剂的甩胶机 下面以衬底上金属连接的刻蚀为例讲解光刻过程。 首先，通过金属化过程，在硅衬底上布置一层仅数 纳米 厚的金属层。 然后在这层金属上覆上一层 光阻 。 这层光阻剂在曝光（一般是紫外线波长的 准分子激光 ）后可以被特定溶液（显影液）溶解。 |xsx| rbb| osk| jfm| gfm| ojl| rzz| vvr| unn| gaj| qhv| jzk| bir| obr| amb| bmh| rjp| sji| ala| xab| mut| htx| dra| vru| tvq| wvc| skf| gsc| muy| hmy| uix| nin| uog| jcz| rci| juu| xvh| uxp| vcq| jqi| cog| qgb| iie| kgr| yug| dhp| vqm| hiy| jzy| cjw|