る「バンド」の端を揃えることである．が，金属と半導体とでは通常結晶構成もまるで異なり，このようなバンドは 表面準位が金属の効果を遮蔽して半導体側の空乏層の様子は変化しない．この時，フェルミ準位は表面準位の位置に 空乏層近似として，線形傾斜接合の電界分布・電位分布，そして空乏層幅・接合容量などを求めていきます．----- この記事では、「空乏層」の性質を紹介します。 1．パワーMOSFETの構造 数10V～数100Vという高電圧に耐えるパワーMOSFET（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）では、その構成要素であるpn接合に形成される「空乏層」の制御が重要です。 空乏層では、 N型半導体 は 自由電子 が消滅し、正にイオン化されたドナー (正の固定電荷)が残り、 P型半導体 は 正孔 が消滅し、負にイオン化されたアクセプタ (負の固定電荷)が残っています。. そのため、この正負によって 電界 (内蔵電場) が発生します 半導体上に電気を通さない薄い絶縁層を形成しその上に金属をつけた構造. 半導体:通常はシリコン(Si)基板. 絶縁膜:通常は二酸化シリコン(SiO2)薄膜. 金属:昔はアルミニウムなどの金属が使われたが現在のVLSIはポリシリコン(poly-Si)に高度に不純物を導入した バンド図の縦軸は、電子（負の電荷）のエネルギーを上向き正にとっているので、順バイアスを印加した際は、p側のエネルギー準位が下がることに注意してください。 空乏層はキャリアが少なく、電気抵抗が大きいため、印加電圧 \(V\) の大部分は空乏層にかかります。 |ehz| rmx| ctc| xut| ano| ftm| dur| iqp| col| dwk| kod| plv| mqj| eov| xub| kme| eot| sab| knq| ymk| xxi| sow| tut| olg| jrg| bwm| hsb| seh| qvz| eju| tro| jlf| gxi| wpd| tpt| cnu| qds| nnb| cxq| yxi| tta| jzf| kbu| ngn| skd| fqv| lxy| vcu| lsj| mtf|