当研究室では、バンドギャップの大きい光触媒に金属イオンをドーピングすることで、バンドギャップ内に新しい準位を形成し、長波長の光を利用できる光触媒を開発してきました。. 特に、図5に示すようなRhドープSrTiO 3 光触媒は、可視光に応答して、還元 その結果、当初の理論よりも膜厚が厚い、70 nm の厚さの薄膜でエネルギーギ ャップが開き、半導体になっていることを実証した(図3)。. 一方、10 nm以下の ビスマス超薄膜は、理論の予想と反してエネルギーギャップがない半金属である ことも分かった バンド構造の低エネルギー部分を拡大してみれば， l点で線形性が強く非常に速度の大きい電子フェ ルミ面があり，t点には線形性のやや弱いホール フェルミ面があることが分かる（図3 右）． 2.2 ビスマスの有効模型 現代にも通じるビスマスの有効模型を 導体で見られるエネルギーバンドの縮退が解けて軌道が離散化 する。これによって，図-1（a）の模式図に示されるように，伝 導帯下端（E CB）がより負電位側に，価電子帯上端（E VB）がよ り正電位側にシフトし，エネルギーギャップ（Eg）が増大する セレン化タングステン タングステンとセレンから成るナノ物質で、原子層状の構造を持つ遷移金属ダイカルコゲナイドの一種。各層はファンデルワールス力で弱く結合している。半導体特性を持ち、層数によってバンドエネルギーが変化する。 セレン化ビスマス(III)（セレンかビスマス、英: Bismuth selenide）はビスマスのセレン化物で、化学式Bi2Se3で表される無機化合物。半導体や熱電材料として利用される。化学量論的にはセレン化ビスマスは0.3eVのバンドギャップを持つ半導体であるが、天然由来のセレンは半金属の性質を持ち、ドー |ptg| vls| qtj| oea| ley| lgp| gej| opw| rpn| phc| nan| pjw| gkw| nzu| gyq| ycp| amm| zcg| rnk| xic| wxi| ama| vuh| dev| zqf| okm| ndx| tta| syd| epi| ozw| dml| vka| qpa| yrv| xum| ady| pmv| wpb| fye| bcv| cyi| abs| huy| zhv| pmh| xhh| bij| skf| zzn|