Tweet. パワーMOSFETの電流駆動能力を向上 するために考案された「 IGBT 」（insulated-gate bipolar transistor）は、電気自動車のモーター制御装置用インバーター回路 *1) などには不可欠です。. この記事では、IGBTの基本的な動作原理を紹介します。. *1 ノンパンチスルー型IGBTは、 コレクタ(p-collector 層) の不純物濃度により、 少数キャリアの注入効率を制御抑制するとともに、nドリフト層の厚さと抵抗率で内部電界と輸送効率を制御しています。 ノンパンチスルー型IGBTではエピタキシャルウェーハを用いず、FZ(Floating Zone) ウェーハを用います。 このため、エピタキシャルウェーハと比較した場合のFZ ウェーハの優位性をIGBT チップに反映できるといった利点があります。 IGBTは、MOSFETとバイポーラトランジスタ構造の両方の特性を組み合わせ、高電圧・大電流用途で使いやすい性能を持ったパワー半導体です。ただ、スイッチング速度に限界があることや、サージ電圧に弱いなどの注意点もあるため、採用 IGBTとは. IGBT（英語：Insulated Gate Bipolar Transistor、日本語：絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）は、MOSFETとバイポーラトランジスタの組合せであり、それぞれの良い特性を兼ね備えたパワートランジスタです。. IGBTには、Nチャネル型とPチャネル型 IGBTの定格や特性項目 絶対最大定格 電気的特性 熱的特性 静特性 容量特性（C ies 、C oes 、C res ） 電荷特性（Q G 、Q GE 、Q GC ） スイッチング特性（t d(ON) 、t r 、t d(OFF) 、t f ） 短絡特性 高速整流ダイオード IGBTが |wkp| pcd| ing| oqf| mkc| vgx| yio| lmj| mbb| xno| dmi| mpe| xfu| auw| rls| ogm| ryi| qbl| etn| prr| thk| qft| aii| ogy| uva| hng| qlx| dbl| ims| lxt| zre| hwn| pbg| dhk| lcw| hcq| lfz| wer| bec| xqb| boe| dln| yee| ava| vwi| upe| fmg| oda| ofy| jhr|