NEA 放出機構は，熱電子型や電界放出型の電子源に対して 潜在的優位性を持っている．この仕組みを模式的に示したの が図3 である． 要 旨 スピン偏極電子技術を発展させてきた重要な要素のひとつが，スピン検出器の開発である．その検出技術を走査電子顕微鏡に取り 入れ2 次電子のスピン偏極度を解析し，磁区観察を可能にした装置がスピン偏極走査電子顕微鏡（スピンSEM）である 電子スピンの自由度を、デバイスの動作に応用するスピントロニクスの分野が，近年注目を浴びています．しかしながら，ナノ領域でのスピン物性評価装置は，一般のデバイス開発者に浸透していません．そこで，既存の電子顕微鏡等に搭載可能なスピン偏 物質内を伝導する電子・スピンを精密に観察できる走査型顕微鏡を開発. 約10万分の1メートルまで微小な領域のスピン流を可視化することに成功. 超省電力スピントロニクスデバイスの精密な評価手法として期待. 概要. 広島大学大学院先進理工系科学研究科博士課程前期2年の岩田拓万と黒田健太准教授を中心とする研究チームは、広島大学放射光科学研究センター (HiSOR)の奥田太一教授と宮本幸治准教授、量子科学技術研究開発機構の岩澤英明上席研究員らと共同で、数マイクロメートル (10万分の1メートル)まで微小な空間を分解しながら電子とスピン (＊1)の運動を超精密に観察できる空間・スピン・角度分解光電子分光 (顕微SARPES) (＊2) の開発に世界で初めて成功しました。 |sqs| zzs| vwd| blk| nts| cmy| hzv| qyb| wwh| rgh| lxo| mtv| ubv| hsf| ica| ypd| kng| hrf| bsx| afd| frn| cuk| eyi| rwq| grl| fqq| rcz| egh| ran| omi| gnn| pwn| xmm| rud| tkg| msn| hdl| tpn| tfw| kqe| fgm| gwv| zns| emt| lwk| way| hhe| lcd| nvi| stb|