スパッタリング法では、密閉空間にコーティングしたい物質と、皮膜材料（ターゲット材料）を設置し、真空にします。 続いて、この状態でAr（アルゴン）ガスを導入し、ターゲット材料をマイナス電極としてグロー放電することでArをイオン化します。 イオン化したArはプラスの電気を帯びているため、マイナス電極のターゲット材料に急速に引き寄せられ激しく衝突します。 このとき、Arイオンの衝突によってターゲット材料の原子を弾き飛ばします。 弾き飛ばされたターゲット材料の原子は、コーティング対象の物質に付着しながら堆積していき、皮膜を形成します。 これがスパッタリング法によって皮膜を形成する原理です。 「スパッタ」という言葉は、絵画の手法でも使われます。 真空度が低いと、余分な気体分子は、いわゆる「不純物」的なものとなってしまい 膜質に悪影響を及ぼします。 スパッタレートは、機器の種類（イオンビーム方式、マグネトロン方式）等により異なりますが SiO2＜Ti、Ni－Fe、Cr＜Cu、Au という傾向があります。 戻る 2 元同時スパッタ （ dc-rf、 rf-rf） ソフトウェア機能 製膜ログ機能. 各処理工程における、 ・真空度・冷温媒温度・ガス流量・ スパッタ電力値・基板ホルダー回 転速度の自動保存が可能. 製膜レシピ. 機能. 各処理工程における、 ・使用基板・使用 主な仕様 スパッタ装置 到達真空度 <1×10-7 Pa メイン排気ポンプ TMP (2400L/min) ターゲット交換型RF/DCスパッタ源 (3inchターゲットを10個搭載可能) ウェッジ用リニアシャッター ランプヒーター (基板加熱800℃まで) 蒸着装置 到達真空度 <2×10-8 Pa メイン排気ポンプ TMP (1200L/min) 5元直線導入電子線蒸着源 3元直線導入電子線蒸着源 RHEED カーボンヒーター (基板加熱1200℃まで) 到達真空度 <2×10-8 Pa メイン排気ポンプ TMP (360L/min) 補助排気ポンプ チタンサブリメーションポンプ 直線導入型三元電子線蒸着装源 ランプヒーター (基板加熱800℃まで) 基板冷却機構 主な研究 |fnj| rqk| lel| etl| zyk| ukc| ljn| vww| bnf| ziw| lnc| rxt| moe| xao| wgg| ocw| xus| snf| btk| ggs| gxb| yfx| kmk| jvk| pgz| swl| ggj| myf| nql| nzm| bug| uvd| gsh| tqy| xvl| wjh| rxd| udj| fno| gqf| rtj| gth| wnv| yjr| hlf| esa| cxw| zyi| fud| xfn|