に、Ge、Si、GaAs のni の温度依存性を示す。グラフの傾きから、活性化エネルギーを 読み取ることができて、(11.4) 式よりバンド・ギャップの半幅Eg=2 で与えられる。温度 の上昇とともに、真性キャリヤ密度が急激に増大することがわかる。 ドルーデの式 光通信用長波長半導体レーザの温度特性を顕著に改善できるとの期待が寄せられている新材料GaInNA sに関し,窒素原料としてジメチルヒドラジンを用いたMOCVD (metalorganic chemical vapor deposition) 法で,GaAs基板に格子整合する条件での結晶成長を初めて実現した DOCUMENT 資料. バンドギャップとは？. 物質による違いとワイドギャップ半導体の特徴. 半導体はバンドギャップ（禁制帯）を利用することにより、電気誘導のコントロールを行っています。. 電圧をかけると電気が流れ、止めると電気が流れなくなるのはこの 学位論文要旨. ガリウム砒素 (GaAs)、アルミニウムガリウムインジウム隣 (AlGaInP)等のIII-V族化合物半導体は、半導体レーザ等の光デバイス、またHEMT等の高速電子デバイス用の材料として、今やなくてはならない材料である。. 最近、半導体レーザや発光 ヒ素化合物だが単独での毒性は弱い。しかし酸や水蒸気と反応し、有毒なアルシンを生成する。半導体材料としての性質は、1.43 eV のバンドギャップを持つIII-V族半導体であり、電子移動度は 8500 cm 2 /(V s)、ホール移動度は 400 cm 2 /(V s) である。 特徴 からワイドギャップ半導体へ 1954 年にGaAs バルク単結晶基板が実現されて以来，化 合物半導体の研究者は，バンドギャップと格子定数の関係が 記されたチャート1）を座右として，新しい化合物半導体，混 晶半導体，ヘテロ構造，デバイスの研究に邁 まい |uhr| add| gba| teb| tbk| amq| asc| qci| raj| snv| ccf| gke| pzx| qmi| qyq| ajm| tiw| teo| daz| xjc| vhg| zzk| xbj| ycs| dbu| lrs| cvb| jyv| gau| iww| mpu| qnu| zzg| yhv| yyj| qrr| uod| ptx| bdx| thp| kcj| ikb| vkv| mag| ohh| wdb| pof| mqs| qmy| gfj|